Hochreine Kupfer-Sammelschienen-Sputtertargets (4N-6N)

Abbildung von Sputtertargets aus hochreinem Kupfer (4N-6N)

Kurzbeschreibung:

Produktspezifikationen
Name: Sputtertarget für hochreine Kupfersammelschiene
Normen: ASTM F68 (Sauerstofffreies Elektronikkupfer), ASTM B115, Reinheit ≥ 99,99 % (4N–6N), RoHS-konform, REACH-konform
Material: C10100 (OFHC-Kupfer), C10200 (Sauerstofffreies Kupfer), Hochreines Kupfer (4N/5N/6N)
Oberfläche: Präzisionsbearbeitet/poliert, Ra ≤ 0,5 μm, optionale Indium-Bonding-Verbindung mit der Trägerplatte
Länge: 500 mm – 4000 mm
Breite: 50 mm – 400 mm
Dicke: 5 mm – 30 mm
Produktmerkmale: Höchste Reinheit mit minimalen Verunreinigungen · Hervorragende elektrische und thermische Leitfähigkeit · Gleichmäßige Mikrostruktur für stabiles Sputtern · Hohe Materialausnutzung bei großflächiger Abscheidung · Ausgezeichnete Schichtgleichmäßigkeit und Haftung · Geringe Ausgasung und Partikelbildung · Verlängerte Targetlebensdauer in kontinuierlichen Prozessen
Anwendungsgebiete: Dünnschichtsolarzellen (CIGS, CdTe, Perowskit), großflächige Flachbildschirme, Architekturglasbeschichtungen, Automobil- und Dekorbeschichtungen, Touchscreens und flexible Elektronik, Barriereschichten in Gehäusen, lineare Beschichtungssysteme im Forschungsmaßstab, PVD-Produktionslinien mit hohem Durchsatz

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Sputtertarget für hochreine Kupfer-Sammelschienen – Prozess- und Qualitätssicherungserklärung

Unsere Kupfer-Sammelschienen-Targets wurden speziell für die großflächige, hochvolumige physikalische Gasphasenabscheidung entwickelt, bei der eine gleichmäßige Beschichtung über große Längen von entscheidender Bedeutung ist.

Wichtige Prozessmerkmale

Die Fertigung nutzt fortschrittliche metallurgische und Bearbeitungstechniken, um eine gleichbleibende Leistung zu gewährleisten:
●Ausgangsmaterial: Als Basis dienen hochwertige elektrolytische Kupferkathoden mit nachgewiesener ultrahoher Reinheit.
●Vakuumraffination: Mehrere Vakuumschmelzstufen entfernen gasförmige und metallische Verunreinigungen, um Reinheitsgrade von 4N bis 6N zu erreichen.
●Stranggießen: Durch kontrolliertes Warmstrangpressen oder Stranggießen entstehen lange, dichte Knüppel mit homogener Struktur.
●Warmumformung: Schmieden und Walzen verfeinern die Korngröße und erreichen eine nahezu vollständige theoretische Dichte.
●Präzisionsschneiden und -bearbeiten: CNC-Sägen und -Fräsen erzeugen präzise rechteckige Abmessungen mit parallelen Flächen.
●Oberflächenvorbereitung: Mehrstufiges Schleifen und Polieren erzeugt saubere, fehlerfreie Sputteroberflächen.
●Verbindungsoptionen: Niedertemperatur-Indium- oder elastomere Verbindung mit Edelstahl- oder Molybdän-Trägerplatten möglich.
●Reinraumverpackung: Abschließende Ultraschallreinigung und doppelte Vakuumversiegelung gewährleisten eine kontaminationsfreie Lieferung.

Qualitätskontrollsystem

● Vollständige Rückverfolgbarkeit von der Kathodenquelle bis zum fertigen Sammelschienenziel
● Vollständige Materialzertifizierungen und Prüfberichte werden mit jedem Gerät mitgeliefert.
● Archivmuster werden mindestens 3 Jahre lang zur unabhängigen Überprüfung aufbewahrt (SGS, BV usw.).
● 100%ige Überprüfung der wesentlichen Parameter:
• Reinheitsprüfung (GDMS/ICP-Analyse; Sauerstoff typischerweise <5 ppm)
• Dichteprüfung (≥99,5 % theoretisch)
• Kornstrukturanalyse (Metallographie)
• Maßgenauigkeit (Koordinatenmessmaschine; Parallelität ≤0,1 mm typisch)
• Oberflächenqualität und Rauheit (Profilometer + Reinrauminspektion)
● Interne Spezifikationen übertreffen die ASTM F68-Normen. Typische Eigenschaften: Wärmeleitfähigkeit >395 W/m·K, gleichbleibendes, lichtbogenfreies Sputterverhalten, hohe Abscheidungsraten in Magnetronsystemen.